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  • mos管中文規格書參數詳解MOS參數圖文教學

    2021-05-11 21:29:41

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    Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻 Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低 Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系 Pd-----------

    在了解mos管規格書參數詳解之前,先來看看mos管的每一個參數代表什么及說明,mos管除了G、S、D引腳和N溝道mos管和P溝道mos管之外還有很多具體的參數,每個詳細參數如下:

    mos管規格書參數詳解


    Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻

    Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

    Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V

    Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系

    Pd-----------------最大耗散功率

    Tj------------------最大工作結溫,通常為150度和175度

    Tstg---------------最大存儲溫度

    Iar-----------------雪崩電流

    Ear---------------重復雪崩擊穿能量

    Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量

    BVdss------------DS擊穿電壓

    Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流

    Igss---------------GS驅動電流,nA級的電流.

    gfs----------------跨導

    Qg----------------G總充電電量

    Qgs--------------GS充電電量

    Qgd-------------GD充電電量

    Td(on)---------導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

    Tr----------------上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間

    Td(off)----------關斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間

    Tf-----------------下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間

    Ciss---------------輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.

    Coss--------------輸出電容,Coss=Cds +Cgd.

    Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.


    mos管規格書參數詳解


    mos管規格書參數詳解說明

    (一)

    mos管規格書參數詳解

    說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。

    測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。

    影響:超過的話會讓MOSFET損壞。


    (二)

    mos管規格書參數詳解

    說明:ID的漏電流。

    測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。

    影響:漏電流越大功耗越大。


    (三)

    mos管規格書參數詳解

    說明:柵極漏電流

    測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。


    (四)

    mos管規格書參數詳解

    說明:開啟電壓

    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

    影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮范圍值。


    (五)

    mos管規格書參數詳解

    說明:完全開啟,漏極和源極兩端最大過電流30A,

    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

    影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮范圍值。


    (六)

    mos管規格書參數詳解

    說明:導通時,Vds的內阻

    測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內阻。

    影響:內阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。


    (七)

    mos管規格書參數詳解

    說明:跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,

    跨導:

    線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ,其中g是常數系數。系數g稱作跨導(或轉移電導),具有與電導相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。

    在MOS管中,跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上,跨導為曲線的斜率。


    (八)

    mos管規格書參數詳解


    說明:MOS管體二極管的正向導通壓降

    測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。


    (九)

    mos管規格書參數詳解

    說明:體二極管可承受最大連續續電流

    測試條件:

    影響:如果偏小,在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風險


    (十)

    mos管規格書參數詳解

    說明:

    Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容

    Coss=Cds+Cgd 輸出電容

    Crss=Cgd(米勒電容)

    影響:Ciss:影響到MOS管的開關時間,Ciss越大,同樣驅動能力下,開通和關斷時間就越慢,開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI

    Coss和Crss:這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。


    (十一)

    mos管規格書參數詳解

    說明:    

    Qg:柵極總充電電量

    Qgs:柵極充電電量

    Qgd:柵極充電電量

    tD(on):漏源導通延遲時間

    tr:漏源電路上升時間

    tD(off):漏源關斷延遲時間

    tf:漏源電路下降時間

    影響:參數與時間相互關聯的參數,開關速度越快對應的優點是開關損耗越小,效率高,溫升低,對應的缺點是EMI特性差,MOSFET關斷尖峰過高。


    mos管規格書參數詳解-MOS管發熱分析

    1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。


    2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。


    3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


    4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

    聯系方式:古先生

    聯系電話:13414444001

    微信:13414444001

    QQ:97995598


    作者: 廣東奧科半導體
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    mos管中文規格書參數詳解MOS參數圖文教學
    Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻 Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低 Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系 Pd-----------
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